EV Group presente op SEMICON Korea 2025 met innovatieve IR LayerRelease technologie
EV Group (EVG), de leider in innovatieve procesoplossingen voor geavanceerde halfgeleiderontwerpen, staat in de schijnwerpers met zijn technologie IR LayerRelease voor tijdelijke laagbinding en -ontkoppeling (TB/DB) op de SEMICON Korea 2025 tentoonstelling, die van 19 tot 21 februari in Seoul, Zuid-Korea plaatsvindt.
Innovatie in chipintegratie en geavanceerde geheugenoplossingen
EVG, erkend om zijn leiderschap op het gebied van wafer bonding technologieën, introduceert zijn IR LayerRelease oplossing. Deze laser-ontkoppelingstechnologie op basis van infrarood is ontworpen om de productie van high bandwidth memory (HBM) en 3D gestapeld DRAM te verbeteren. Deze technologieën zijn cruciaal voor toepassingen in kunstmatige intelligentie (AI) en high-performance computing (HPC).
Volgens dr. Thorsten Matthias, regionale verkoopdirecteur voor Azië/Pacific van EVG: "Het versnellen van de ontwikkeling en productie van HBM en 3D gestapeld DRAM is een prioriteit voor de Koreaanse halfgeleiderindustrie. Onze IR LayerRelease technologie revolutioneert de markt door het stapelen van dunnere chips mogelijk te maken via laserontkoppeling, waardoor de noodzaak voor mechanische ontkoppeling vervalt."
Tijdelijke laagbinding en -ontkoppeling voor geavanceerd geheugen
De HBM en 3D DRAM technologieën zijn belangrijke oplossingen voor AI-training vanwege hun vermogen om hoog bandbreedte, lage latentie en energie-efficiëntie te bieden in een compact formaat. De tijdelijke laagbinding en -ontkoppeling van wafers is een essentiële stap in de productie van deze geavanceerde geheugentechnologieën.
Traditionele mechanische ontkoppeloplossingen kunnen niet de precisie bieden die nodig is voor ultra-dunne wafers met complexe geometrieën. In deze context biedt IR LayerRelease van EVG aanzienlijke voordelen:
- Hogere precisie en prestaties
- Lagere operationele kosten
- Minder milieu-impact
- Compatibiliteit met toekomstige geheugen-generaties
Technische details van IR LayerRelease
De IR LayerRelease technologie maakt gebruik van een infrarood (IR) laser die door silicium heen gaat, waardoor het mogelijk is om ultra-dunne lagen met nanometrische precisie vrij te geven zonder de draagwafer te beschadigen. In tegenstelling tot traditionele processen vereist IR LayerRelease geen glazen substraten, wat nieuwe processtromen voor 3D-IC en 3D sequentiële integratie mogelijk maakt. Bovendien gebruikt deze technologie anorganische oplosmiddelen voor een nadien reinigingsproces, wat de ecologische voetafdruk van halfgeleiderfabricage minimaliseert.
IR LayerRelease is geïntegreerd in het EVG®880 platform, een geautomatiseerde oplossing voor hoge volume productie.
EVG op SEMICON Korea
Bezoekers van SEMICON Korea 2025 die meer willen weten over de oplossingen van EVG voor AI, HPC, geavanceerde packaging en duurzame halfgeleiderfabricage, kunnen de stand C740 (3e verdieping, Hall C) bezoeken van 19 tot 21 februari in het COEX in Seoul, Zuid-Korea.
Bron: Semiconductor digest