Kioxia y Sandisk han aprovechado la Future of Memory and Storage (FMS) 2026 para presentar la décima generación de su memoria NAND Flash, BiCS10, una evolución que va más allá de simplemente aumentar el número de capas. La nueva tecnología introduce una memoria QLC de 2 Tb por chip, con 332 capas y una densidad superior a 37 Gb/mm². Según ambas compañías, se trata de la memoria QLC más densa anunciada hasta la fecha.
Resumen en 20 segundos sobre BiCS10
- Kioxia y Sandisk presentan BiCS10 en versiones TLC y QLC.
- La versión QLC alcanza 2 Tb por chip y 332 capas.
- La densidad supera los 37 Gb/mm², un 60 % más que BiCS8.
- Diseñada para centros de datos, inteligencia artificial e infraestructuras cloud avanzadas.
Este anuncio llega en un momento en que el auge de la inteligencia artificial impulsa una demanda creciente de almacenamiento de alta capacidad. Mientras los modelos generativos consumen cada vez más datos y las cargas de inferencia exigen infraestructuras más eficientes, los fabricantes de memoria buscan aumentar la capacidad sin ocupar más espacio físico ni incrementar el consumo energético proporcionalmente.
Más capacidad usando menos silicio
La principal innovación de BiCS10 es que permite fabricar SSD de mayor capacidad utilizando menos chips.
El nuevo diseño aumenta la densidad hasta un 60 % respecto a la octava generación BiCS, posibilitando almacenar más información en la misma superficie de silicio.
Las especificaciones más destacadas son:
| Característica | BiCS10 QLC |
|---|---|
| Capacidad por chip | 2 Tb |
| Número de capas | 332 |
| Tipo de memoria | QLC |
| Densidad | 37,6 Gb/mm² |
| Interfaz | Hasta 4,8 Gb/s |
Esto representa un avance importante respecto a generaciones anteriores y posiciona a Kioxia y Sandisk por delante de otras soluciones anunciadas recientemente en términos de densidad.
La arquitectura CBA sigue evolucionando
La nueva generación mantiene la arquitectura CMOS directly Bonded to Array (CBA), una de las señas de identidad principales de ambas compañías.
Este diseño fabrica por separado la lógica CMOS y la matriz NAND, uniendo ambas obleas mediante un proceso de unión directa de alta precisión.
Separar estos componentes permite optimizar cada proceso de fabricación de forma independiente y aprovechar mejor el área del chip.
En BiCS10, esta arquitectura incorpora además un novedoso diseño de seis planos, utilizado por primera vez en una memoria QLC del fabricante.
Esta configuración mejora el aprovechamiento del espacio, aunque también presenta nuevos retos eléctricos relacionados con la alimentación, interferencias y ruido interno. Para solucionarlo, Kioxia y Sandisk han rediseñado la distribución eléctrica del chip, incorporando nuevas capas metálicas y conexiones de tierra adicionales.
Mejoras en rendimiento
Tradicionalmente, las memorias QLC priorizan la capacidad frente al rendimiento.
BiCS10 busca reducir esa brecha mediante varias optimizaciones internas.
Entre ellas destacan:
- Interfaz Toggle DDR6.0
- Velocidad de hasta 4,8 Gb/s
- Nueva técnica LBUS Coupling Sense
- Protocolo Separate Command Address (SCA)
Gracias a estos avances, el rendimiento interno supera los 85 MB/s por chip en operaciones de escritura, con una mejora aproximada del 4 % respecto a la generación anterior en determinadas cargas.
Enfoque en inteligencia artificial
Aunque las cifras son impresionantes, probablemente el aspecto más relevante sea el mercado al que se dirige.
Kioxia y Sandisk dejan claro que BiCS10 no está pensado para ordenadores personales.
Su objetivo son:
- centros de datos
- plataformas cloud
- almacenamiento para entrenamiento de IA
- sistemas de inferencia
- infraestructuras de hiperescala
En estos entornos, donde se pueden instalar miles de SSD, aumentar la densidad de cada chip permite reducir el número total de componentes necesarios para alcanzar la misma capacidad.
Mayor eficiencia energética
El consumo energético también ha sido una prioridad en el desarrollo.
Las nuevas memorias incorporan tecnologías como:
- PI-LTT, diseñada para reducir el consumo durante la transferencia de datos.
- Bus Idle Sleep, que pone automáticamente en reposo los chips que no están en uso dentro del mismo encapsulado.
Aunque no se han publicado cifras completas para la versión QLC, ambas compañías aseguran que estas mejoras responden a uno de los mayores desafíos actuales en los centros de datos: el consumo energético y la refrigeración, especialmente en el contexto del crecimiento de la IA.
¿Cuándo estarán disponibles los primeros SSD?
Por ahora, Kioxia y Sandisk no han anunciado productos comerciales basados en BiCS10 QLC.
La versión TLC de 1 Tb ya ha comenzado su fase de muestras y producción inicial en 2026, mientras que la variante QLC de 2 Tb sigue avanzando hacia su comercialización.
Todo indica que los primeros SSD con esta tecnología estarán dirigidos al mercado empresarial antes de llegar, si es que llegan, al segmento de consumo.
En cualquier caso, BiCS10 marca una dirección clara para la industria: aumentar la capacidad sin aumentar significativamente el tamaño físico, el consumo o los costes será una prioridad en los próximos años, particularmente a medida que la inteligencia artificial siga impulsando la demanda global de almacenamiento.
Preguntas frecuentes
¿Qué es BiCS10?
Es la décima generación de memoria NAND Flash, desarrollada conjuntamente por Kioxia y Sandisk, disponible en versiones TLC y QLC.
¿Qué capacidad alcanza la memoria QLC?
Cada chip puede almacenar 2 Tb, utilizando una estructura de 332 capas.
¿Para qué equipos está diseñada?
Principalmente para centros de datos, plataformas cloud, sistemas de inteligencia artificial e infraestructura de almacenamiento de alta capacidad.
¿Cuándo llegarán los primeros SSD con BiCS10?
Las compañías no han anunciado una fecha concreta, aunque la producción de algunas variantes TLC ya ha comenzado, y la versión QLC aún está en desarrollo para la comercialización.