La brecha tecnológica entre los fabricantes chinos y surcoreanos de memoria se ha reducido rápidamente. La Korea Semiconductor Industry Association (KSIA) estima que China está aproximadamente un año detrás en NAND, dos años en DRAM y tres años en memoria HBM (High Bandwidth Memory). YMTC y CXMT lideran este avance, aunque medir la competitividad solo en años simplifica diferencias importantes en rendimiento, fabricación, capacidad, eficiencia y producción a gran escala.
Las claves del progreso chino en memoria en 30 segundos
- La KSIA estima que la brecha China-Corea del Sur se ha reducido a un año en NAND, dos en DRAM y tres en HBM.
- YMTC compite cada vez más cerca de Samsung y SK hynix en NAND y prepara generaciones con más de 400 capas.
- CXMT ya produce DDR5 y LPDDR5X mientras avanza en tecnologías HBM.
- En HBM persisten desafíos de fabricación y empaquetado que separan a CXMT de los líderes.
- El aumento de capacidad en China puede intensificar la competencia, aunque las tecnologías no sean aún equivalentes.
Hace unos años, la diferencia en algunos segmentos de memoria se estimaba en aproximadamente cinco años. La evolución no implica que YMTC o CXMT hayan igualado a Samsung Electronics y SK hynix en todos los aspectos, pero sí indica que la distancia ahora ya no se mide solo en la capacidad de fabricar productos antiguos a menor coste.
Un informe de 2025 del Korea Institute for International Economic Policy (KIEP) ya advertía de esta tendencia. Señalaba que CXMT había comenzado a producir DRAM DDR5 de 16 nm y que YMTC fabricaba NAND de unas 300 capas, acercándose mucho más a los fabricantes surcoreanos.
YMTC convierte a NAND en el frente más avanzado de China
Actualmente, la memoria NAND es donde la distancia parece menor.
Según estimaciones de medios surcoreanos, Samsung y SK hynix avanzaron en 2025 hacia generaciones de aproximadamente 300 capas, mientras YMTC se situaba en torno a las 270 capas.
La KSIA calcula que esta evolución implica una diferencia aproximada de un año.
Además, YMTC trabaja en NAND de más de 400 capas para su próxima generación. Aunque desarrollar esta tecnología no garantiza que puedan fabricarla en grandes volúmenes, rendimiento o coste similares a los líderes, sí demuestra cuánto ha progresado su tecnología.
Una de sus innovaciones es Xtacking, una arquitectura desarrollada por YMTC para fabricar por separado las matrices de memoria NAND y la lógica periférica antes de unirlas.
Este enfoque permite trabajar independientemente en ambas partes y posteriormente conectarlas mediante técnicas avanzadas de unión.
La evolución hacia hybrid bonding o unión híbrida es especialmente importante a medida que aumenta la cantidad de capas y la densidad.
También hay señales comerciales de que YMTC ha dejado de ser un participante marginal. Diversos estudios de mercado de 2026 colocan al fabricante chino entre los principales proveedores globales de NAND por volumen de bits suministrados.
Por tanto, hablar de una brecha aproximada de un año no indica que las tecnologías sean idénticas, sino que refleja un cambio importante respecto a la posición que ocupaba la industria china hace pocos años.
CXMT ya compite en DDR5, pero HBM es otra historia
El avance de ChangXin Memory Technologies (CXMT) es posiblemente más relevante para el mercado de DRAM.
Esta compañía china comenzó con productos bastante alejados de las generaciones más avanzadas de Samsung, SK hynix y Micron. Sin embargo, esa situación está cambiando.
CXMT ha progresado hacia DDR5 y LPDDR5X, y sigue desarrollando procesos de DRAM más pequeños.
La KSIA estima ahora una diferencia aproximada de dos años en DRAM convencional.
| Tecnología | Brecha estimada China-Corea del Sur |
|---|---|
| NAND Flash | ~1 año |
| DRAM | ~2 años |
| HBM | ~3 años |
Estas cifras son estimaciones industriales, no equivalencias matemáticas exactas entre generaciones.
Dos fabricantes pueden vender DDR5 y aún así tener resultados diferentes en densidad por oblea, consumo, frecuencia, rendimiento o coste por bit.
El nodo tecnológico utilizado también influye. Las denominaciones comerciales y el número de nanómetros no reflejan todas las características de una tecnología DRAM por sí solos.
La diferencia se vuelve aún más clara en el caso de HBM.
El 25 % de yield revela los desafíos de China en HBM
La memoria de alto ancho de banda (HBM) es una de las más demandadas en infraestructura de inteligencia artificial.
HBM coloca varias matrices de DRAM en una estructura tridimensional y las conecta mediante técnicas avanzadas de empaquetado. El resultado es un ancho de banda mucho mayor que la memoria convencional, ideal para alimentar GPU y aceleradores de IA.
Pero fabricar HBM es mucho más complejo que producir un módulo DDR5.
CXMT trabaja en este campo y hay indicios de desarrollos HBM3 y HBM3E. Sin embargo, las cifras de rendimiento conocidas muestran que la distancia con los líderes sigue siendo significativa.
Estimaciones de SemiAnalysis citadas en distintos medios situaron en torno al 25 % el rendimiento global de ciertos HBM de CXMT en fase de desarrollo.
La cifra no ha sido confirmada oficialmente y no debe extrapolarse automáticamente a toda la gama HBM de la empresa.
Ilustra, sin embargo, los desafíos del sector industrial.
Con HBM no basta con fabricar correctamente cada matriz de DRAM. Las capas deben apilarse, conectarse y pasar por procesos de encapsulado y validación. Un fallo en algún componente puede inutilizar una estructura mucho más costosa que un chip DRAM convencional.
CXMT también necesita dominar tecnologías como los TSV (Through-Silicon Vias), conexiones verticales que atraviesan el silicio y comunican las matrices apiladas.
Por ello, la KSIA sigue considerando que la diferencia en HBM ronda los tres años, mayor que en NAND o DRAM convencional.
Corea del Sur tiene aquí una ventaja importante gracias a SK hynix y Samsung, mientras Micron representa al tercer gran fabricante internacional.
Las restricciones a EUV no frenan el avance chino
El progreso de YMTC y CXMT también revela los límites de los controles tecnológicos occidentales sobre China.
Las restricciones occidentales dificultan el acceso a maquinaria avanzada, especialmente a sistemas de litografía ultravioleta extrema (EUV) de ASML.
China sigue dependiendo en gran medida de equipos extranjeros en varias fases de producción.
Pero memoria y procesadores lógicos enfrentan desafíos distintos.
Los fabricantes chinos pueden extender tecnologías DUV (Deep Ultraviolet), modificar procesos, usar múltiples exposiciones y desarrollar nuevas técnicas de integración y empaquetado para avanzar sin tener todas las herramientas disponibles.
Aunque esto puede incrementar costes o afectar rendimiento, no impide necesariamente la mejora del producto.
La unión híbrida, por ejemplo, busca avanzar en densidad y conectividad a través del empaquetado y la arquitectura, no solo reduciendo tamaño de transistores.
Por ello, medir el avance chino solo por el acceso a EUV resulta insuficiente.
La capacidad de producción puede ser tan importante como la tecnología
Existe otra dimensión del progreso chino que no depende solo de tener la memoria más avanzada: fabricarla en grandes cantidades.
CXMT está ampliando rápidamente su capacidad de DRAM. Reuters informó en julio de 2026 que ya era el cuarto mayor fabricante mundial de DRAM, aprovechando la escasez provocada por la fuerte demanda de memoria.
YMTC hace algo similar en NAND.
Las estimaciones sobre capacidad futura varían mucho según la fuente. Algunas indican expansiones a varios cientos de miles de obleas mensuales en CXMT y YMTC, pero dependen de nuevas fábricas, disponibilidad de maquinaria y ritmo de rampas de producción.
Por ello, no es prudente confirmar cifras como 600.000 u 800.000 obleas mensuales para CXMT o 500.000 para YMTC hasta que esas instalaciones estén operativas realmente.
No obstante, la tendencia es clara: ambos fabricantes están ampliando capacidad.
Eso puede traducirse en ventajas incluso antes de igualar tecnológicamente a sus rivales.
Una memoria no necesita ser la más avanzada para competir en PCs, servidores, teléfonos, SSD o dispositivos electrónicos.
El mercado de memoria se basa mucho en volumen y precio.
Llegar a Samsung y SK hynix requiere algo más que igualar generaciones
El rango de uno, dos o tres años ayuda a entender el avance chino, pero puede simplificar demasiado la realidad.
Un fabricante de memoria debe dominar proceso, arquitectura, rendimiento por oblea, fiabilidad, encapsulado, consumo, velocidad y producción a gran escala simultáneamente.
HBM añade integración 3D, gestión térmica y conexiones altamente complejas.
Por eso, fabricar un prototipo HBM3E no significa tener un producto comercial competitivo en grandes volúmenes.
Lo mismo pasa con una NAND de 400 capas: el número de capas es importante, pero no determina por sí solo rendimiento, densidad, latencia, resistencia o coste por bit.
La situación china destaca porque YMTC y CXMT progresan en varias de esas dimensiones al mismo tiempo.
También cuentan con un mercado interno enorme. Distribuidores chinos de servidores, teléfonos, ordenadores y AI pueden ofrecer una base de clientes que impulse volumen, aprendizaje en producción y financiación de nuevas generaciones.
Las restricciones comerciales pueden reforzar esa dinámica, incentivando la sustitución de componentes extranjeros dentro de China.
Por eso, la visión solo en términos de EUV no refleja toda la realidad industrial.
Las diferencias tecnológicas importantes, especialmente en HBM y en equipos de fabricación críticos, aún existen, pero la distancia en memoria convencional se ha reducido mucho más rápido de lo esperado hace unos años.
En NAND, YMTC ya compite en métricas clave, y en DRAM CXMT ha avanzado de generaciones previas hasta DDR5 y LPDDR5X. HBM sigue siendo el salto más difícil.
Si la estimación de la KSIA es correcta, la ventaja de Corea ya no se mide en una década, sino en alrededor de tres años en HBM, dos en DRAM y solo uno en NAND.