Spanje zet vastberaden stappen om zich te positioneren als wereldleider in de productie van siliciumcarbide chips, een sleutelhalfgeleidermateriaal voor high-power elektronica. Het DioSiC-project, ondersteund door het PERTE voor Micro-elektronica en Halfgeleiders, streeft naar het ontwikkelen van de benodigde technologieën voor de grootschalige productie van polycrystalline siliciumcarbide wafers.
Met een budget van 3,3 miljoen euro, waarvan de staat 68% voor zijn rekening neemt, vertegenwoordigt het DioSiC-project niet alleen een aanzienlijke technologische vooruitgang voor Spanje, maar is het ook essentieel voor de onafhankelijkheid van Europa ten opzichte van Aziatische leveranciers, in het bijzonder China.
Siliciumcarbide, samengesteld uit silicium en koolstof, heeft unieke eigenschappen die het tot een ideaal materiaal maken voor high-power elektronica, zoals gebruikt in elektrische voertuigen en hernieuwbare energieën. De hoge hittebestendigheid, thermische geleidingsvermogen en brede energiekloof maken het superieur aan conventioneel silicium in deze toepassingen.
Het DioSiC-project betrekt drie toonaangevende Spaanse bedrijven uit hun respectievelijke velden: Nanoker Advanced Ceramics, Hiperbaric en Fagor Electrónica. Nanoker, gespecialiseerd in geavanceerde nanocomposiet keramiek, is verantwoordelijk voor de fabricage van de polycrystalline siliciumcarbide substraten met behulp van innovatieve technieken zoals SPS (Spark Plasma Sintering).
Op zijn beurt past Hiperbaric, dat 65% van de wereldmarkt voor hogedrukmachines beheerst, haar technologie HIP (Hot Isostatic Pressing) toe om de mechanische en elektrische eigenschappen van de siliciumcarbide wafers te optimaliseren. Tot slot zal Fagor Electrónica verantwoordelijk zijn voor de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen met behulp van deze geavanceerde substraten.
Het doel van het DioSiC-project gaat verder dan enkel de onafhankelijkheid van Spanje en Europa te consolideren in de toeleveringsketen van halfgeleiders. Het streeft er ook naar de productiekosten van geïntegreerde schakelingen met 30% te verlagen en hun prestaties met 35% te verhogen, waardoor de concurrentiepositie van de Europese industrie wordt versterkt.
Mikel Pérez, directeur van R&D bij Fagor Electrónica, benadrukte het belang van dit project als eerste stap naar de oprichting van een siliciumcarbideproductiefaciliteit in Spanje, een ambitieus maar haalbaar doel dankzij de samenwerking van deze drie toonaangevende bedrijven.
Het DioSiC-project, dat naar verwachting begin 2026 afgerond zal zijn, vertegenwoordigt een unieke kans voor Spanje en Europa om zichzelf te positioneren als leiders in de fabricage van geavanceerde halfgeleiders, waardoor hun externe afhankelijkheid vermindert en innovatie wordt gestimuleerd in een sleutelsector voor de toekomst van de technologie.
Referentie: Hiperbaric, Xataka.