Op 7 augustus 2024 heeft Imec, een wereldleider in onderzoek en innovatie in nano-elektronica en digitale technologieën, aanzienlijke resultaten gepresenteerd op het gebied van high-NA (Numerical Aperture) EUV (Extreme Ultraviolet) lithografie. Deze vooruitgangen zijn bereikt in het gezamenlijke ASML-Imec high-NA EUV lithografielaboratorium in Veldhoven, Nederland.
Het onderzoek van Imec heeft met succes logische structuren en DRAM-structuren laten zien die zijn geprint met een enkele belichting met de high-NA EUV-scanner (TWINSCAN EXE:5000). Onder de prestaties vallen logische structuren met dicht op elkaar liggende metalen lijnen van 9.5 nm, wat gelijkstaat aan een pitch van 19 nm, en willekeurige via’s met een centrum-tot-centrumafstand van 30 nm. Ook zijn er 2D-kenmerken bereikt met een pitch van 22 nm, en een specifiek ontwerp voor DRAM met een P32 nm patroon, allemaal in een enkele belichting.
Deze resultaten bevestigen het vermogen van het ecosysteem om high-NA EUV-lithografie met hoge resolutie en een enkele belichting mogelijk te maken. Vooruitgang in lithografietechnologie is cruciaal om door te gaan met de miniaturisatie van logische en geheugendevices, hetgeen meer complexe ontwerpen mogelijk maakt en de kosten en complexiteit van fabricageprocessen verlaagt.
Steven Scheer, senior vicepresident van technologieën en computersystemen bij Imec, benadrukte: “We zijn verheugd om de eerste printcapaciteit voor logica en geheugen mogelijk gemaakt door High NA te demonstreren in het gezamenlijke ASML-Imec lab, als een initiële validatie van industriële toepassingen. De resultaten tonen de unieke potentie van high-NA EUV om agressief geschaalde 2D-kenmerken te printen, het ontwerp flexibeler te maken en tegelijkertijd de kosten en complexiteit van het patroon te verminderen.”
Luc Van den hove, president en CEO van Imec, voegde toe: “De resultaten bevestigen de resolutiecapaciteit van high-NA EUV-lithografie, gericht op sub-20 nm pitch metalen lagen in een enkele belichting. High-NA EUV zal essentieel zijn om de dimensionale schaalbaarheid van logische en geheugentechnologieën voort te zetten, een van de belangrijkste pijlers om vooruit te komen op de routekaarten richting het ‘angstrom-tijdperk’. Deze vroege demonstraties waren alleen mogelijk dankzij de oprichting van het gezamenlijke ASML-Imec laboratorium, dat onze partners toestaat de introductie van high-NA lithografie in de productie te versnellen.”
De samenwerking tussen Imec en ASML, samen met hun partners, heeft betrekking gehad op uitgebreid voorbereidend werk, waaronder het voorbereiden van gewijde wafer-stacks, geavanceerde resins, onderliggende lagen en fotomaskers, alsook de overdracht van basis high-NA EUV-processen naar de scanner. De invoering van deze vooruitgangen betekent een significante stap richting de integratie van high-NA EUV-lithografie in grootschalige productie, en stuwt de toekomst van de halfgeleidertechnologie voort.
Bron: Persbericht van IMEC