Infineon Technologies AG Verstevigt Positie in GaN-Technologie na TSMC Sluiting
Infineon Technologies AG heeft bevestigd dat haar routekaart voor de productie van Gallium Nitride (GaN) op 300 mm wafers volgens schema verloopt. De Duitse multinational, die opereert als Integrated Device Manufacturer (IDM), zal in het laatste kwartaal van 2025 de eerste monsters aan klanten aanbieden, wat haar rol als belangrijke speler in de wereldwijde markt voor geavanceerde vermogenscomponenten versterkt.
Dit nieuws komt op een strategisch moment: TSMC, de belangrijkste concurrent in deze sector, heeft aangekondigd zijn productie van GaN stop te zetten en de faciliteiten binnen de komende twee jaar af te bouwen. Deze zet biedt een belangrijke kans voor Infineon, dat zich nu positioneert als de eerste fabrikant die succesvol 300 mm GaN-technologie integreert in een infrastructuur voor massaproductie.
Efficiëntie en Schaalbaarheid: Voordelen van 300 mm Wafers
De overgang van de traditionele 200 mm wafers naar 300 mm vertegenwoordigt een enorme technische en economische vooruitgang. Volgens Infineon maakt deze verandering het mogelijk om tot 2,3 keer meer chips per wafer te produceren, wat de efficiëntie aanzienlijk verbetert en helpt om kostenpariteit met silicium producten te bereiken.
“Met de grootschalige productie van GaN op 300 mm kunnen we sneller meer waarde aan onze klanten leveren, terwijl we concurreren met siliciumprijzen,” aldus Johannes Schoiswohl, directeur van de GaN-businessunit bij Infineon. “Onze IDM-strategie en eerdere investeringen in infrastructuur beginnen nu vruchten af te werpen.”
Een Integraal en Gedifferentieerd Perspectief
Infineon beheerst de drie belangrijkste technologieën in vermogenssemiconductoren: silicium (Si), siliciumcarbide (SiC) en Gallium Nitride (GaN). Deze veelzijdigheid, gecombineerd met volledige controle over het productieproces – van ontwerp tot eindproduct – stelt hen in staat om aangepaste en schaalbare oplossingen te bieden voor opkomende toepassingen in sectoren zoals:
- Elektrische mobiliteit
- Energie systemen voor kunstmatige intelligentie
- Industriële robotica
- Zonne-energie omvormers en motorcontrollers
- Snelladers en slimme adapters
GaN springt vooral in het oog vanwege zijn hoge vermogensdichtheid, snellere schakelsnelheden en lagere energieverliezen, wat resulteert in compactere en thermisch efficiëntere ontwerpen.
Een Betrouwbare Marktpositionering
Volgens een rapport van het Yole Group zal de markt voor GaN vermogenssemiconductoren jaarlijks groeien met 36%, met een verwachte omzet van 2,5 miljard dollar in 2030. Infineon heeft al meer dan 40 nieuwe GaN-producten aangekondigd in de afgelopen 12 maanden, waardoor hun technologische en industriële leiderschap verder wordt versterkt.
Met TSMC die zich terugtrekt uit de GaN-markt – nu gefocust op hoog marge logische processors – versterkt Infineon zijn positie als voorkeursleverancier voor klanten die op zoek zijn naar betrouwbare, schaalbare en kosteneffectieve oplossingen.
Op Weg naar een Nieuwe Energie-Efficiëntie Era
De integratie van GaN-technologie in 300 mm wafers markeert een keerpunt in de vermogenssemiconductorindustrie, versnelt de overgang naar efficiëntere, duurzame apparaten die voldoen aan de nieuwe marktvraag, van slimme woningen tot elektrische voertuigen en AI-datacenters.
Met sterke productiecapaciteiten, een toegewijd team van GaN-experts en een van de breedste portefeuilles van intellectuele eigendomsrechten in de sector, positioneert Infineon zich als een toonaangevende speler in Europa en wereldwijd in het post-silicium tijdperk.
Bron: Infineon