Jensen Huang, CEO de NVIDIA, señala que China podría disponer de sus propios sistemas avanzados de litografía hacia 2030. Esta previsión contrasta con el estado actual de su industria de semiconductores. El país ha logrado avances en equipos de litografía nacionales, pero aún está lejos de igualar la tecnología más avanzada de ASML, especialmente en litografía ultravioleta extrema (EUV).
Resumen en 20 segundos sobre la litografía china
- Huang estima que China podría tener capacidades propias en sistemas avanzados para 2030.
- SMEE ya produce escáneres DUV de 193 nm para procesos en torno a 90 nm.
- El desarrollo de equipos de inmersión que alcancen 28 nm está en marcha, pero su producción en masa aún requiere validación.
- La tecnología EUV presenta desafíos complejos en óptica, alineación, metrología y etapas de wafers mucho más sofisticadas.
- La predicción de Huang es una estimación, no una confirmación de que China haya alcanzado esa capacidad.
Huang realizó estas declaraciones durante una entrevista en el The All-In Podcast, donde situó alrededor de 2030 el momento en que China podría disponer de capacidades internas en litografía avanzada. Su argumento se basa en la velocidad de industrialización del país y en su capacidad para escalar tecnologías a producción masiva.
No obstante, esa previsión debe diferenciarse del estado actual de la tecnología china. Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), fabricante nacional, ya dispone de equipos de litografía para nodos maduros, pero el desarrollo de sistemas de inmersión más avanzados aún se encuentra en fase de industrialización y validación.
En el caso de EUV, la tecnología utilizada para fabricar semiconductores más avanzados, China trabaja en componentes relacionados, pero no hay evidencia pública de que haya producido un escáner EUV completo comparable a los sistemas comerciales de ASML.
SMEE avanza en DUV, pero la producción masiva sigue siendo un reto
La litografía es una de las etapas más complejas en la fabricación de semiconductores. Los sistemas proyectan patrones extremadamente pequeños sobre obleas de silicio mediante luz; su precisión determina en gran medida las dimensiones y características de las estructuras producidas.
China ha desarrollado capacidades propias en esta área, aunque todavía dista tecnológicamente de los equipos occidentales más avanzados.
SMEE puede fabricar en volumen un escáner DUV de 193 nm, equipado con láser de argón-fluor y apto para procesos de aproximadamente 90 nm.
Este tipo de equipos es adecuado para nodos maduros, pero todavía está lejos de los procesos usados en chips de mayor densidad y menor tamaño.
El siguiente paso es la litografía DUV de inmersión. En estos sistemas se emplea líquido entre la lente y la oblea para mejorar la resolución. Según informes de Tom’s Hardware, SMEE habría desarrollado un escáner capaz de procesar a 28 nm, pero aún no hay evidencia pública de su producción en masa ni uso generalizado en fabricación.
También se ha reportado la entrega del primer escáner de inmersión de una empresa china del sector. Sin embargo, entregar una máquina y que funcione de manera estable en una línea de producción son etapas distintas y requerirán más tiempo de validación y cualificación.
Estas máquinas necesitan procesos largos de validación antes de su uso en producción en volumen. Las fábricas deben comprobar su precisión, estabilidad, rendimiento y compatibilidad con otras etapas del proceso.
Incluso si los primeros equipos de este tipo llegaran a los fabricantes chinos en 2026, su uso en producción masiva podría retrasarse varios años.
Superar la EUV requiere muchos más esfuerzos
La transición de DUV a EUV (Ultravioleta Extremo), supone un desafío mucho mayor.
La EUV emplea luz con una longitud de onda de 13,5 nm, y requiere una combinación compleja de tecnologías: una fuente de luz especializada, óptica de altísima precisión, sistemas de posicionamiento de obleas y máscaras, alineación, control de superposición entre capas y metrología de precisión.
Actualmente, ASML lidera la fabricación de sistemas EUV para chips avanzados. Sus máquinas integran componentes de una cadena de suministro global, y su desarrollo ha requerido décadas de trabajo.
China ha avanzando en algunos componentes necesarios para una tecnología EUV propia, incluyendo fuentes de plasma generadas con láser capaces de producir luz en los 13,5 nm.
Sin embargo, obtener esa fuente de luz no equivale a disponer de un escáner EUV operativo completo. El sistema debe integrar todos los componentes con una precisión extremadamente alta, y mantenerla durante procesos industriales prolongados.
Este sigue siendo uno de los principales obstáculos para cualquier fabricante que intente desarrollar una alternativa completa a EUV.
2030 es una previsión, no una fecha definitiva
Huang estima que China podría alcanzar capacidades avanzadas en litografía hacia 2030. En la entrevista, afirmó que el país tiene una gran capacidad industrial y que, sea cual sea el ritmo, el desarrollo tecnológico en este campo es solo una cuestión de tiempo.
Esta afirmación, sin embargo, no implica que exista en la actualidad una máquina china equivalente a los sistemas más avanzados de ASML, ni que haya un calendario industrial confirmado para lograrla.
La evolución de los equipos DUV muestra la magnitud del reto. Desarrollar y validar sistemas de inmersión para 28 nm es solo un paso; pasar de ahí a plataformas EUV para alta producción implica solucionar múltiples obstáculos tecnológicos adicionales.
Además, comparar diferentes generaciones de equipos puede ser engañoso. La capacidad de una tecnología antigua no indica que China haya alcanzado el nivel de los productos avanzados en uso por fabricantes que continúan innovando.
Por tanto, producir una máquina DUV funcional no significa automáticamente que China tenga la misma tecnología que los sistemas comerciales de ASML.
La estrategia también está influida por los intereses de Pekín en reducir su dependencia de proveedores extranjeros. La industria china de semiconductores trabaja en alternativas domésticas en diferentes etapas de la cadena de suministro, desde maquinaria hasta materiales y componentes.
Fabricar chips requiere mucho más que solo una máquina
El desarrollo de un escáner de litografía no puede analizarse aisladamente. Una fábrica avanzada necesita integrar materiales adecuados, fotomáscaras, sistemas de medición, equipos de deposición y grabado, herramientas de inspección y software de control.
También es crucial mantener la precisión en cada etapa de fabricación. La alineación y superposición de patrones deben mantenerse dentro de tolerancias extremadamente estrictas.
En EUV, estos requisitos aún se incrementan: la fuente de luz, los espejos, la cámara de vacío, las etapas de posicionamiento y los sistemas de control deben funcionar de manera coordinada y precisa.
Por ello, el paso de un prototipo a una máquina lista para producción en volumen puede ser largo. La experiencia de los fabricantes y sus proveedores es esencial en esa transición.
China busca acortar ese camino mediante inversión, investigación y desarrollo de una cadena industrial propia. Huang considera que la velocidad de desarrollo puede permitir avances importantes antes de 2030.
El éxito dependerá de si los prototipos y equipos iniciales pueden convertirse en sistemas confiables y competitivos para producción en serie. Hasta ahora, las evidencias públicas muestran avances en DUV y en componentes de EUV, pero aún no hay una plataforma china de litografía EUV comparable a las máquinas líderes de ASML.
Por tanto, la previsión de Huang para 2030 debe entenderse como una estimación del progreso tecnológico en China, no como una máquina concreta ya desarrollada ni como una disponibilidad industrial confirmada.
Preguntas frecuentes
¿Qué dijo Jensen Huang sobre la litografía china?
Huang afirma que China podría contar con sistemas propios de litografía avanzada para 2030 y sostiene que su capacidad industrial puede acelerar ese proceso.
¿Qué equipos de litografía produce actualmente China?
SMEE fabrica escáneres DUV de 193 nm utilizados en procesos de aproximadamente 90 nm. También ha desarrollado equipos DUV de inmersión para 28 nm, aunque su producción y uso en masa todavía están en etapa de validación.
¿China tiene ya una máquina EUV comparable a ASML?
No hay evidencia pública de que China tenga un escáner EUV completo comparable a los sistemas comerciales de ASML. La creación de una fuente de luz EUV es solo un componente del desarrollo total.
¿Qué pasos debe seguir China para fabricar equipos EUV?
Debería integrar una fuente EUV, óptica de alta precisión, sistemas de posicionamiento y alineación, metrología y otros componentes que funcionen con estabilidad en producción en masa.