Samsung breidt haar strategie voor NAND-geheugen voor kunstmatige intelligentie uit met drie ontwikkelingslijnen: Z-NAND-O, gericht op AI in apparaten, Z-NAND-T, met focus op het vergroten van de bandbreedte voor data-centra, en Z-NAND-I, ontworpen om maximale IOPS (Input/Output Operations Per Second) te leveren. Volgens het Zuid-Koreaanse mediabedrijf ZDNet Korea bevinden de twee laatstgenoemden zich nog in een vroege ontwikkelingsfase en heeft Samsung nog geen officiële specificaties bekendgemaakt.
De kernpunten van Samsung’s nieuwe Z-NAND-technologie in 20 seconden
- Volgens sectorbronnen ontwikkelt Samsung drie varianten NAND, afgestemd op verschillende AI-belastingen.
- Z-NAND-O richt zich op AI in apparaten en gebruikt gestapelde Chips via TSV-verbindingen.
- Z-NAND-T streeft naar een hogere bandbreedte; deze wordt geassocieerd met High Bandwidth Flash (HBF)-concepten.
- Z-NAND-I is gericht op het verhogen van IOPS, oftewel het aantal invoer- en uitvoerbewerkingen per seconde.
- Het doel is om het geheugen af te stemmen op de eisen van AI-inferentie en datacenters.
Deze strategie onderstreept de behoefte binnen AI-infrastructuur: niet alle applicaties profiteren van dezelfde geheugeneigenschappen. Sommige vereisen snelle gegevensoverdracht, terwijl andere veel kleine, frequente operaties uitvoeren. Samsung onderzoekt daarom verschillende producten om aan deze uiteenlopende behoeften te voldoen zonder afhankelijk te zijn van één uniforme geheugenconfiguratie.
De informatie komt van ZDNet Korea, dat bronnen uit de sector aanhaalt. Het is daarom belangrijk om onderscheid te maken tussen Z-NAND-O, waarvan Samsung in augustus 2026 een prototype toonde tijdens een geheugen-event, en de varianten Z-NAND-T en Z-NAND-I, waarvan de ontwikkeling nog niet publiekelijk is bevestigd door Samsung.
Z-NAND-O, T en I: drie ontwerpen voor verschillende behoeften
De eerste van deze oplossingen, Z-NAND-O, is al publiekelijk gedemonstreerd als een prototype. Samsung presenteerde het in augustus 2026 tijdens Future of Memory and Storage (FMS), een evenement gespecialiseerd in geheugen en opslag in de Verenigde Staten. Het ontwerp is bedoeld voor directe AI-toepassingen in apparaten, inclusief mobiele systemen en edge computing platforms.
De technologie combineert verticale gestapelde NAND-geheugenmodules met siliciumverbindingen, bekend als TSV (Through-Silicon Vias). Samsung overweegt configuraties met vier of acht gestapelde lagen in één behuizing. Door de afstand die gegevens tussen chips afleggen te verkleinen, wil het ontwerp snellere toegang en verbeterde energie-efficiëntie bieden. Samsung heeft in de initiële aankondiging nog geen definitieve prestaties of stroomverbruikscijfers gepubliceerd.
ZDNet Korea
Z-NAND-T zou soortgelijke gestapelde technologie gebruiken, maar met een andere prioriteit: het verhogen van de datatransfercapaciteit per tijdseenheid, ook wel throughput genoemd. Deze eigenschap is vooral geschikt voor AI-systemen die grote hoeveelheden gegevens moeten aanleveren aan versnellingschips.
In de sector gebruikt men de term HBF (High Bandwidth Flash) om deze aanpak van high-bandwidth NAND-flash te beschrijven. Het idee is om verticale stacking en TSV-verbindingen te benutten om NAND dichter bij de prestatienormen van nieuwe computing-architecturen te brengen. HBF moet echter niet worden verward met HBM (High Bandwidth Memory): beide technologieën streven naar meer bandbreedte, maar maken gebruik van verschillende geheugentechnologieën en kenmerken.
Z-NAND-I is ontworpen om de IOPS (Input/Output Operations Per Second) te verhogen, oftewel het aantal invoer- en uitvoerbewerkingen dat een apparaat per seconde kan uitvoeren. Een geheugen met hoge IOPS is vooral geschikt voor workloads die continu kleine datablokken benaderen, hoewel het minder ideaal is voor grote data-overdrachten in sequentiële operaties.
ZDNet Korea koppelt deze geheugenvariant aan AI-inferentiesystemen die gebruik maken van key-value caches (KV-caches). Deze systemen moeten herhaaldelijk tijdelijke gegevens ophalen tijdens het genereren van antwoorden. Specificaties zoals IOPS, latency of capaciteit voor Z-NAND-I zijn nog niet bekend, waardoor directe vergelijkingen met bestaande producten niet mogelijk zijn.
Concurrentie in AI-inferentiegeheugens
Samsung is niet de enige speler in de ontwikkeling van NAND-geheugen voor AI-workloads. Volgens ZDNet Korea heeft SK Hynix de AIN (AI-NAND) serie ontwikkeld, met drie lijnen: AIN P, gericht op prestaties; AIN D, voor capaciteit en opslag; en AIN B, voor bandbreedte.
De Zuid-Koreaanse bron meldt dat SK Hynix aan een AIN P-variant werkt die tot 100 miljoen IOPS moet kunnen leveren, en aan een AIN D-lijn die petabytes aan opslag wil bieden. AIN B lijkt op HBF en richt zich op datatransfer. Het gaat hierbij om ontwikkelingsdoelen; niet alle producten hoeven aan deze specificaties te voldoen.
De differentiatie is logisch, omdat AI-systemen uiteenlopende taken uitvoeren. Training en bepaalde inferentie-fases profiteren van hoge bandbreedte, terwijl andere diensten snelle toegang tot veel kleine datasets vereisen. Grootschalige opslag is belangrijk voor het bewaren van grote datasets, modelstates en caches.
Voor Samsung betekent een set gespecialiseerde geheugenproducten dat ze beter kunnen inspelen op verschillende toepassingen, in plaats van te vertrouwen op één universeel product. Het succes op de markt hangt echter af van nog niet duidelijk gemaakte factoren zoals capaciteit per behuizing, latentie, stroomverbruik, fabricagekosten, beschikbaarheid en compatibiliteit met klantenplatforms.
Er is geen bevestiging dat Z-NAND-I contracten heeft met NVIDIA of dat Samsung het als exclusieve geheugenoplossing voor hun systemen voorziet. Hoewel high-performance geheugen relevant kan zijn voor AI-platforms van NVIDIA en andere fabrikanten, vereist een concrete klantverbinding aanvullende bevestiging.
Op dit moment is Z-NAND-O de variant waarvoor publiek bewijs bestaat, doordat Samsung dit publiek heeft getoond, terwijl Z-NAND-T en Z-NAND-I nog in vroege ontwikkelingsstadia verkeren volgens sectorbronnen aangehaald door ZDNet Korea. Samsung heeft nog geen lanceringsdata of definitieve specificaties voor deze varianten gepubliceerd.
Veelgestelde vragen
Wat is Z-NAND-O van Samsung?
Een high-performance NAND-oplossing ontworpen voor AI in apparaten. Samsung toonde een prototype op FMS 2026 en verklaarde dat deze chips via verticale stacking en TSV-verbindingen worden opgebouwd.
Wat is het verschil tussen Z-NAND-T en Z-NAND-I?
Z-NAND-T focust op het vergroten van bandbreedte voor het snel overdragen van grote datasets, terwijl Z-NAND-I gericht is op het maximaliseren van IOPS voor veel kleine, snelle bewerkingen per seconde.
Wat betekent HBF in AI-geheugen?
HBF (High Bandwidth Flash) is een aanpak om NAND-flash dichter bij de prestaties van HBM te brengen door middel van verticale stacking en geavanceerde verbindingstechnieken. HBF is niet hetzelfde als HBM, dat meer high-speed DRAM-achtig is.
Heeft Samsung bevestigd dat Z-NAND-I voor NVIDIA-producten wordt gebruikt?
Nog niet. ZDNet Korea meldt dat het zich ontwikkelt, maar Samsung heeft geen officiële bevestiging gegeven dat NVIDIA een klant is of dat Z-NAND-I exclusief voor hun systemen is bedoeld.
Bron: ZDNet