Sinds de oprichting in 1987 heeft Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) een prominente positie behouden in de mondiale halfgeleiderindustrie, dankzij een robuuste strategie van interne onderzoeks- en ontwikkelingsactiviteiten. Het bedrijf biedt niet alleen de meest geavanceerde gieterijprocestechnologieën aan, maar heeft ook belangrijke mijlpalen bereikt bij elke stap in de evolutie van halfgeleiders. Hieronder volgt een overzicht van de belangrijkste logische technologieën van TSMC, van de vroegste doorbraken tot de nieuwste knooppunten.
Meest recente innovaties: A16 en 2nm
- A16â„¢-technologie
TSMC heeft zijn A16™-technologie geïntroduceerd, gebaseerd op nanosheets (nanometrische platen) en uitgerust met de innovatieve achterkant energieleveringsoplossing genaamd Super Power Rail (SPR). Deze benadering verbetert zowel de logische dichtheid, de prestaties als de energie-efficiëntie aanzienlijk, en legt daarmee een fundament voor toekomstige ontwikkelingen in hightech knooppunten. - 2nm-knooppunt (N2)
Momenteel in vergevorderde ontwikkeling, representeert TSMC’s 2nm-technologie de eerste generatie nanosheet-transistors van het bedrijf. Dit knooppunt biedt significante verbeteringen in prestaties, transistordichtheid en energie-efficiëntie en markeert een cruciale stap in de miniaturisatie van halfgeleiders.
Recent geproduceerde technologieën: 3nm en 5nm
- 3nm-knooppunt (N3)
In 2022 leidde TSMC de industrie met de massaproductie van 3nm FinFET-technologie. Dit knooppunt, beschouwd als het meest geavanceerde in de industrie, is cruciaal voor toepassingen die een hoge efficiëntie en transistordichtheid vereisen, zoals mobiele apparaten en datacenters. - 5nm-knooppunt (N5)
Geïntroduceerd in 2020, stelde dit knooppunt TSMC-klanten in staat om innovatieve producten te ontwikkelen met hoge prestaties en energie-efficiëntie. N5 markeerde een mijlpaal in de massale adoptie van geavanceerde technologieën in sleutelsectoren.
Eerdere vooruitgang: Van 7nm tot 0,13 micron
- 7nm-knooppunt (N7)
Gelanceerd in 2018, was het 7nm FinFET-knooppunt een van de snelst ontwikkelde en succesvolle knooppunten van TSMC. Het legde de basis voor de implementatie van geavanceerde technologieën in de auto-industrie, mobiele apparaten en meer. - 0,13 micron-knooppunt (µm)
In 2001 veranderde TSMC de markt door het eerste proces met lage diëlektrische constante en koper (low-k copper) voor systeem-op-chip (SoCEen SOC, staat voor Security Operations Center (beveiligingsoperationscentrum)…) te lanceren. Deze ontwikkeling verbeterde de efficiëntie en reduceerde energieverlies.
Pionierende innovaties: Van 0,18 micron tot 3 micron
- 0,18 micron-knooppunt (µm)
In 1998 lanceerde TSMC het eerste 0,18 micron-laagvermogenproces, en stelde daarmee een standaard voor energie-efficiëntie in industriële toepassingen. - 3 micron-knooppunt
Vanaf het begin heeft TSMC zich gecommitteerd aan een interne ontwikkelingsstrategie, beginnend met haar 3 micron-knooppunt. Dit knooppunt markeerde de start van een gestage evolutie naar miniaturisatie.
TSMC’s inzet voor innovatie
De technologische geschiedenis van TSMC weerspiegelt niet alleen voortdurende vooruitgang, maar ook haar vermogen om de eisen van de wereldwijde markt voor te zijn. Elk knooppunt vertegenwoordigt een stap voorwaarts in dichtheid, prestaties en energie-efficiëntie, waardoor significante vorderingen mogelijk worden gemaakt in gebieden zoals kunstmatige intelligentie, het Internet der Dingen (IoT), high-performance computing en meer.
Met technologieën zoals het 2nm-knooppunt en A16™ in het verschiet, blijft TSMC de industrie leiden door nieuwe standaarden te stellen in de fabricage van halfgeleiders en consolideren als een sleutelspeler in de wereldwijde technologische ontwikkeling.