Infineon en NVIDIA breiden hun samenwerking uit op het gebied van 800 volt gelijkstroomarchitecturen (VDC) voor AI-gegevenscentrales, met nu de focus op galliumnitrid (GaN) omzetters voor een van de meest veeleisende fasen van de voedingsketen. Het Duitse bedrijf kondigde dit aan op 21/10/2026 in München, gelijktijdig met de NVIDIA GTC-beurs in Berlijn.
De kernpunten van Infineon, NVIDIA en GaN voor 800 VDC in 30 seconden
- Infineon en NVIDIA richten zich op de intermediate bus converter (IBC), die de spanning verlaagt voordat deze bij de accelerators aankomt.
- GaN maakt schakelingen mogelijk tot 1 MHz, met kleinere componenten en een hogere vermogensdichtheid.
- Infineon dekt conversies van 800 V naar 50 V, 12 V en 6 V.
- Dit is de derde fase van een samenwerking die in mei 2025 werd aangekondigd, zonder specifieke data voor commercialisering of efficiëntiecijfers.
AI-servers verbruiken steeds meer energie, en de industrie zoekt naar manieren om de voedingsspanning te verhogen om verliezen te verminderen. In die overgang is de intermediate bus converter (IBC) de schakel die de spanning van de hoofdvoeding verlaagt naar een lager niveau, waarop andere fasen de exacte spanningen voor de processors genereren. Infineon beschouwt dit als een van de kritieke stappen in de hele keten.
Waarom galliumnitrid?
Volgens Infineon maakt GaN, in vergelijking met silicium, het mogelijk dat de vermogensschakelaars veel sneller schakelen en minder verliezen veroorzaken. Dit steltfrequenties tot wel 1 MHz mogelijk in de IBC-fase. Hogere frequenties zorgen ervoor dat inductoren en passieve componenten veel kleiner kunnen zijn, wat resulteert in meer vermogen in minder ruimte en lagere rackhoogtes. In AI-gegevenscentra wordt de ruimte in de racks steeds schaarser.
Het bedrijf voegt toe dat de lage verliezen in geleiding en schakeling van GaN helpen om de warmteontwikkeling te beperken, terwijl het vermogen per rack bijna een megawatt benadert. Hun portfolio dekt de conversierelaties die deze fase vereist — van 800 V naar 50 V, 12 V en 6 V — en wordt aangevuld met hun PSoC Control C3-controlefamilies en EiceDRIVER-gate driver controllers voor een complete oplossing. Infineon produceert ook IBC-oplossingen met silicium en siliciumcarbide. Het persbericht noemt geen concrete efficiëntiecijfers of beschikbaarheidsdata.
Jochen Hanebeck, CEO van Infineon, benadrukte dat AI ingrijpend de eisen aan de elektrische infrastructuur verandert en dat halfgeleiders centraal staan in de oplossingen. Hij voegde eraan toe dat GaN-gebaseerde oplossingen essentieel zijn voor de volgende generatie gegevenscentra.
Een driefasen samenwerking
De samenwerking begon in mei 2025, toen beide bedrijven aankondigden dat ze samenwerkten aan 800 VDC-architecturen. In oktober 2025 werd deze uitgebreid met oplossingen voor bescherming van het voedingspad, zoals hot-insertion controllers, zodat 800 VDC-racks onderhouden kunnen worden en componenten kunnen worden vervangen zonder uit te schakelen. Het huidige besluit omvat de hoge spanningsconversie met GaN.
Infineon onderstreept dat de 800 VDC-spanning wordt geïntroduceerd naast de bestaande lagere spanningsarchitecturen voor wisselstroom (AC) en gelijkstroom (DC), als aanvullende optie voor hoogdichtheidscalculaties, niet als onmiddellijke vervanging. Cloud Magazine legde in september uit hoe AI gegevenscentra dwingt tot een nieuwe elektrische architectuur met 800 V, en afgelopen maand meldde Infineon dat het C2i Semiconductors overnam om de voeding voor AI-gegevenscentra te versterken. De Duitse fabrikant positioneert zich als een leverancier die de gehele keten bedient, van het stroomnet tot aan de loadpoint bij de processor.
Veelgestelde vragen
Wat hebben Infineon en NVIDIA aangekondigd?
Een uitbreiding van hun samenwerking rond 800 VDC-architecturen voor AI-gegevenscentra, met de nadruk op intermediate bus converters gebaseerd op galliumnitrid.
Wat is een intermediate bus converter?
Het is de fase die de spanning van de hoofdbus verlaagt naar een lager niveau, waarop andere fasen de vereiste spanningen voor AI-processors genereren.
Welke voordelen biedt GaN ten opzichte van silicium?
Volgens Infineon schakelt GaN sneller en met minder verliezen, mogelijk tot 1 MHz, en reduceert het de grootte van componenten, wat de vermogensdichtheid verhoogt.
Welke conversies dekt Infineon?
Van 800 V naar 50 V, 12 V en 6 V in de hoge spanningsfase van de intermediate bus converter.
Bronnen: