Samsung heeft Future of Memory and Storage (FMS) 2026 aangegrepen om een van de meest ambitieuze roadmap’s in de geheugensector te presenteren. Het bedrijf heeft zHBM onthuld, een nieuw hoog-bandbreedte geheugenconcept dat ontworpen is om direct geïntegreerd te worden op AI-accelerators, naast de introductie van V10 BV-NAND, de eerste NAND-architectuur in de industrie gebaseerd op wafereenzijdeverbinding met meer dan 400 lagen, en zNAND-O, een nieuwe benadering gericht op AI-taken in de edge.
De kernpunten van Samsung’s nieuwe geheugen in 30 seconden
- Samsung presenteert zHBM, een architectuur die het HBM-geheugen direct op de AI-accelerator plaatst.
- Het bedrijf beweert dat deze architectuur tot acht keer de prestaties van HBM5 kan bieden en de densiteit met een factor tien kan verhogen.
- Daarnaast wordt V10 BV-NAND geïntroduceerd, de eerste NAND met meer dan 400 lagen gebaseerd op wafereenzijdeverbindingstechnologie.
- De nieuwe generatie verhoogt de dichtheid met 58 % ten opzichte van V9 en verbetert de lees-, schrijfsnelheid en I/O-prestaties.
- Samsung vervolledigt de roadmap met zNAND-O, gericht op realtime AI-toepassingen.
Deze innovaties komen op een moment dat de industrie zoekt naar nieuwe manieren om knelpunten tussen processors en geheugen te doorbreken, een van de belangrijkste uitdagingen bij het trainen en uitvoeren van steeds grotere AI-modellen.
zHBM doorbreekt de traditionele architectuur van HBM-geheugen
De belangrijkste innovatie van Samsung is zHBM, een conceptuele architectuur die afwijkt van het gebruikelijke ontwerp van hoog-bandbreedte geheugen.
In huidige systemen bevinden HBM-chips zich naast de processor of accelerator met behulp van geavanceerde interposers. Met zHBM stelt Samsung voor verticale stapeling van het geheugen direct op de AI-accelerator, waardoor de fysieke afstand die de data aflegt aanzienlijk wordt verkleind.
Volgens het bedrijf zou deze aanpak de bandbreedte en energie-efficiëntie van systemen voor training en inferentie van AI- modellen sterk vergroten.
Samsung geeft aan dat een toekomstige interface gebaseerd op deze architectuur kan bereiken:
- Tot acht keer de snelheid van HBM5.
- Meer dan dertig keer de geheugdensiteit in vergelijking met HBM5.
- Een verbetering van drie keer in energie-efficiëntie.
- Meer dan 50 % minder thermische resistantie, wat de stabiliteit van hoge-capaciteit systemen bevordert.
Het bedrijf suggereert ook dat de ruimte tussen de accelerator en het geheugen gebruikt kan worden voor het integreren van aangepaste IP-blokken, zodat oplossingen kunnen worden afgestemd op de behoeften van verschillende klanten.
Het is echter belangrijk op te merken dat zHBM momenteel nog een conceptueel model is, gepresenteerd als onderdeel van Samsung’s technologische roadmap, en nog geen commercieel product met vastgestelde lanceringsdatum.
V10 BV-NAND overstijgt 400 lagen
De tweede grote innovatie betreft V10 BV-NAND, een nieuwe generatie flashgeheugen die voor het eerst een architectuur introduceert genaamd Bonding V-NAND (BV-NAND).
De belangrijkste ontwikkeling ten opzichte van eerdere generaties is het gebruik van een nieuwe technologie voor wafer bonding, waarbij verschillende wafers fysiek verbonden worden om NAND-structuren met veel meer lagen te bouwen.
Dankzij dit ontwerp bereikt Samsung een nieuwe mijlpaal met meer dan 400 lagen.
Volgens de informatie van het bedrijf verbetert V10 BV-NAND:
- De dichtheid met ongeveer 58 % ten opzichte van V9.
- Het lees- en schrijfsysteem.
- De I/O-snelheden.
- Het energieverbruik.
Deze verbeteringen zijn vooral gericht op toekomstgerichte opslagsystemen voor datacenters en AI-toepassingen.
zNAND-O focust op AI in de edge
Samsung heeft ook zNAND-O getoond, een andere architectuur die nog in ontwikkeling is.
Het is een V-NAND-geheugen dat specifiek ontworpen is voor toepassingen waarbij lage latency van cruciaal belang is, zoals AI-executie dicht bij de gegevensbron.
Het bedrijf werkt momenteel aan versies met vier en acht lagen, en beweert dat deze oplossing grotere ruimtelijke efficiëntie, betere I/O-prestaties en snellere responstijden biedt dan traditionele NAND-oplossingen.
Een complete strategie voor AI-data centers
Naast deze experimentele ontwikkelingen heeft Samsung tijdens FMS 2026 ook haar commerciële roadmap geactualiseerd.
Geselecteerde oplossingen omvatten onder andere:
- HBM4E
- HBM5
- LPDDR5X-PIM, geheugen met ingebouwde verwerkingscapaciteiten.
- De enterprise SSD’s PM1763 en BM1773.
Het bedrijf benadrukt ook haar strategie als geïntegreerde fabrikant, die geheugen, chipfabrieken en geavanceerde encapsulatietechnologie combineert om complete oplossingen te bieden voor datacenters en AI-infrastructuren.
De presentatie bevestigt dat de geheugensector zich in een nieuwe fase bevindt, waarin het niet meer alleen gaat om het verhogen van lagen of snelheden, maar om het herontwerpen van de geheugenarchitectuur zelf om te voldoen aan de toenemende vraag naar bandbreedte, energie-efficiëntie en capaciteit die door AI-accelerators wordt geëist.
Veelgestelde vragen
Wat is zHBM?
Het is een nieuw geheugenconcept van Samsung dat voorstelt om HBM direct op AI-accelerators te stapelen, om zo de datadoorgang te verminderen en de prestaties te verhogen.
Is het beschikbaar voor commercieel gebruik?
Nee. Samsung presenteert zHBM als een conceptueel model dat deel uitmaakt van hun visie voor toekomstige geheugentekeningen.
Wat biedt V10 BV-NAND?
Het introduceert een nieuwe wafer-bonding architectuur die meer dan 400 lagen bereikt en volgens Samsung de dichtheid met 58 % kan verhogen ten opzichte van de vorige generatie.
Wat is zNAND-O?
Het is een ontwikkelende NAND-architectuur gericht op edge AI-toepassingen, waar lage latency vooral belangrijk is.