SK hynix is begonnen met het overleg met haar leveranciers van materialen, componenten en apparatuur om de massaproductie van iHBM voor te bereiden, haar technologie voor het afvoeren van warmte uit het HBM-geheugen rechtstreeks vanuit de chipbasis. Dit werd op 21/10/2026 gepubliceerd door het Zuid-Koreaanse dagblad ETNews, dat zich baseert op bronnen uit de toeleveringsketen. Volgens het medium gaat het gesprek nu al over de toepassing in producten en de productieplannen, en het doel van het bedrijf is om de technologie te lanceren met HBM5.
De essentie van SK hynix’s iHBM in 20 seconden
- SK hynix onderhandelt met leveranciers over de productie van iHBM, aldus ETNews.
- iHBM integreert koelelementen in de basis van de gestapelde HBM.
- Het bedrijf beweert dat het de thermische weerstand met meer dan 30% vermindert.
- Het wordt vervaardigd met het Advanced MR-MUF-proces dat al wordt gebruikt bij HBM.
- Het zou samen met HBM5 plaatsvinden, dat volgens SK hynix gepland staat voor 2029.
SK hynix presenteerde iHBM op 26/05/2026. Het recente nieuws is dat het bedrijf nu de stap zet van aankondiging naar voorbereiding voor industriële toepassing. Een vertegenwoordiger van een leverancier, geciteerd door ETNews, bevestigt dat het bedrijf samenwerkt met de toeleveringsketen om iHBM in de praktijk te integreren en te commercialiseren, en dat er al begonnen wordt met het onderzoeken van de haalbaarheid voor productie. SK hynix heeft zich hier nog niet publiekelijk over uitgesproken.
Waar wordt HBM warm en wat verandert iHBM?
High Bandwidth Memory (HBM) is een gestapeld DRAM-geheugen dat bovenop een basischip (het base die) is geplaatst en communiceert met de GPU of AI-versneller binnen hetzelfde koellichaam. Volgens SK hynix concentreert de meeste warmte zich op de fysieke interface tussen de chips (D2D PHY, van die-to-die physical layer), het gebied in de basischip dat snel contact maakt met de processor. Tot nu toe moest die warmte via indirecte weg worden afgevoerd door de gestapelde geheugenchips erboven.
iHBM voegt in dat gebied, wat het bedrijf ICE noemt (integrated cooling elements), elementen toe. Dit zijn siliciumstructuren die warmte geleiden maar geen elektriciteit, en die een eigen kanaal creëren voor het afvoeren ervan binnen het verpakking. SK hynix beweert dat het ontwerp de thermische weerstand met meer dan 30% vermindert ten opzichte van bestaande ontwerpen en dat het een stabiel functioneren mogelijk maakt bij hoge temperaturen en belastingen. Dit is een uitspraak van het bedrijf zelf, zonder onafhankelijke technische gegevens die nog gepubliceerd zijn.
Het probleem wordt urgent: elke nieuwe generatie HBM pakt meer lagen in en werkt op hogere snelheden, terwijl GPU’s voor datacenters steeds meer energie verbruiken. Meer warmte in het geheugen kan leiden tot verminderde energie-efficiëntie, prestatiedalingen, fouten en een kortere levensduur, meldt ETNews.
Een bekende toeleveringsketen
Een van de argumenten van SK hynix is dat iHBM niet vanaf nul hoeft te worden ontwikkeld. De technologie wordt vervaardigd met een wafer-level packaging (WLP) proces gebaseerd op Advanced MR-MUF, dezelfde methode waarmee het bedrijf al HBM-chips stapelt en de tussenruimtes vult in één proces, dat door het bedrijf wordt erkend als klaar voor grootschalige productie. Het is eveneens ontworpen om compatibel te blijven met bestaande klantencapsulaties zonder grote ontwerpwijzigingen.
Daarom verwachten analisten, geciteerd door ETNews, dat iHBM gebruik zal maken van een materiaal-, componenten- en apparaatsamenstelling vergelijkbaar met die van de huidige HBM. Het dagblad voegt toe dat SK hynix werkt aan het uitbreiden van haar leveranciersnetwerk, naast de huidige, om de prestaties en productiviteit van de nieuwe technologie te verbeteren. Namen worden daarbij niet genoemd.
HBM5 en de race om het geheugen te koelen
SK hynix wil iHBM toepassen vanaf HBM5. ETNews positioneert die generatie voor 2029, volgens de plannen van het bedrijf dat HBM5 valideert met het geavanceerde CoWoS-verpakkingsproces van TSMC, waarover eerder werd bericht in Revista Cloud. Er blijven dus nog enkele jaren over voordat iHBM in commerciële producten te zien zal zijn, maar de planning kan wijzigen.
Het bedrijf staat niet alleen. Samsung toonde in mei tijdens COMPUTEX een prototype van HBM5 met haar eigen oplossing, genaamd HPB (Heat Path Block), die eveneens gericht is op het creëren van een extra thermisch kanaal in het D2D PHY-gebied van het basischip. In Revista Cloud werd uitgelegd hoe Samsung werkt aan een nieuwe koelingsroute voor HBM. Micron legt de nadruk op een laag-verbruik HBM en technieken voor koeling via TSV’s (verticale verbindingen door de chips), aldus Zuid-Koreaanse media en TrendForce.
Een sectorvertegenwoordiger, geciteerd door ETNews, vat de situatie samen: concurrenten verkleinen de achterstand met technische verbeteringen en hogere productievolumes, terwijl SK hynix probeert zich te onderscheiden om haar voorsprong te behouden in de volgende generatie. Toen iHBM werd gepresenteerd in mei, benadrukte Lee Kang-wook, senior vice president en hoofd van het ontwikkelteam voor geavanceerde encapsulatie, dat iHBM de ervaring combineert van het bedrijf met geheugenontwerp en geavanceerde verpakkingstechnologie.
Veelgestelde vragen
Wat is iHBM van SK hynix?
Het is een HBM-geheugentechnologie die geïntegreerde koelelementen (ICE) bevat in de verbindingszone van het basischip, waar de warmte zich concentreert, om een directe afvoerroute te creëren.
Hoeveel vermindert iHBM de temperatuur?
SK hynix geeft geen exacte temperatuurwaarden. Het beweert dat het de thermische weerstand met meer dan 30% vermindert ten opzichte van huidige ontwerpen; dit is een uitspraak van het bedrijf zelf.
Wanneer komt iHBM beschikbaar?
SK hynix wil het toepassen vanaf HBM5, dat volgens ETNews gepland staat voor 2029. Momenteel bereidt het bedrijf samen met haar leveranciers de massaproductie voor.
Hoe verschilt het van Samsung’s oplossing?
Beide benaderingen richten zich op het afvoeren van warmte uit het D2D PHY-gedeelte van het basischip. SK hynix gebruikt geïntegreerde silicium-elementen via haar MR-MUF-proces; Samsung presenteerde een thermisch kanaalblock genaamd HPB.
Bronnen: