SAIMEMORY, de dochteronderneming van SoftBank die de ZAM-geheugen ontwikkelt, heeft een memorandum van overeenstemming ondertekend met de Japanse fabrikant Shinko Electric Industries, gespecialiseerd in encapsulatie en substraten, om samen te werken vanaf het onderzoek tot de commerciële productie van deze technologie. Beide bedrijven maakten dit bekend op 28/09/2026. Shinko zal haar expertise in hoge-dichtheid encapsulatie en verpakkingsprocessen inbrengen, precies de onderdelen die het meest uitdagend zijn om ZAM te laten overgaan van laboratorium naar productie.
De kernpunten van de overeenkomst tussen SAIMEMORY en Shinko in 30 seconden
- SAIMEMORY en Shinko werken samen aan onderzoek, fabricagetechnologie en toekomstige commercialisering van ZAM.
- ZAM is een 3D-geheugen met hoge bandbreedte en laag energieverbruik, ontworpen voor AI-datacenters.
- Shinko zal de ontwikkeling van de encasementen en de benodigde fabricageprocessen verzorgen.
- Het is een memo van overeenstemming: het bevat geen financiële details of een nieuwe planning.
De overeenkomst versterkt de Japanse identiteit van het project. ZAM (Z-Angle Memory) is ontstaan bij SAIMEMORY, een bedrijf dat door SoftBank is opgericht in december 2024, en wordt gedeeltelijk gefinancierd via een programma van NEDO, het Japanse agentschap voor de ontwikkeling van nieuwe energie en industriële technologieën, gericht op communicatietechnologieën na 5G. De leiders van beide bedrijven benadrukken dat ZAM ’gevestigd in Japan’ is en dat de ervaring van het land in de industrie wordt benut.
Wat brengt Shinko in het project?
Shinko Electric is een geïntegreerde fabrikant van semiconductor-encasements, met een lange geschiedenis in het ontwerp en de productie van substraten, de structuren waarop chips worden bevestigd om ze te koppelen aan de rest van het systeem. Volgens de communicatie zal het bedrijf haar expertise en technologieën voor hoge-dichtheid verpakkingen gebruiken om de encasement- en fabricageprocessen te ontwikkelen die ZAM nodig heeft, zowel in de onderzoeksfase als in de serieproductie.
Dit is geen kleine rol. Bij high-bandwidth geheugen ligt veel van de waarde en complexiteit niet alleen in de chips zelf, maar vooral in hoe ze worden gestapeld en verbonden. HBM (High Bandwidth Memory) is afhankelijk van zeer complexe verpakkingen, wat een beperkende factor is geweest voor de groei van AI-versnellers in de afgelopen jaren. Wil ZAM een daadwerkelijke alternatieve keuze zijn, dan heeft het betrouwbare productiepartners nodig die kosteneffectief en op grote schaal kunnen produceren.
Hideya Yamaguchi, CEO van SAIMEMORY, toonde zich “zeer enthousiast over het bereiken van deze overeenkomst met Shinko om een strategische alliantie op te bouwen, van R&D tot toekomstige commercialisering.” Hij voegde toe dat door de technologieën van beide bedrijven te combineren, ze de praktische implementatie van ZAM zullen versnellen en streven naar een concurrerend geheugen op de Japanse en internationale markt.
Susumu Kurashima, voorzitter en CEO van Shinko, beschreef de geheugen als “een van de kritische technologieën voor de transformatie die AI en digitalisering brengen,” en gaf aan dat het bedrijf wil bijdragen aan het in de praktijk brengen van deze nieuwe generatie geheugen.
ZAM: een alternatief voor HBM dat nog in ontwikkeling is
ZAM is een 3D-gestapeld DRAM-geheugen dat meer dichtheid en bandbreedte biedt met minder energieverbruik dan HBM, dat momenteel wordt gebruikt in AI-versnellers van onder andere NVIDIA en AMD. Cloud Magazine heeft al uitgelegd dat Intel en SoftBank in februari samenwerkten aan de ontwikkeling ervan, en dat tijdens de VLSI Symposium 2026 onderzoekers van SAIMEMORY, Intel, PSMC en AP Memory een prototype presenteerden met acht lagen DRAM bovenop één logische laag.
Die presentatie beschreef een bandbreedtedichtheid van ongeveer 0,25 Tb/s per mm², met siliciumlagen van circa 3 micron dikte en ongeveer 13.700 vertikale verbindingen (TSV’s) per chip. Dit zijn laboratoriumcijfers, geen commerciële specificaties, en er ontbreken nog belangrijke gegevens zoals uiteindelijke capaciteit, werkelijk verbruik en productiekosten.
De planning ligt nog op de middellange termijn. SoftBank sprak in februari over het fabriceren van prototypes in het fiscale jaar dat eindigt op 31 maart 2028, met een mogelijke marktintroductie in fiscaal jaar 2029. Het memorandum met Shinko verandert deze data niet, noch bevat het investeringsbedragen, maar het vult wel een schakel in de industrieketen aan die ZAM nodig heeft om de servers te bereiken.
Japan wil zijn positie in geheugentechnologie versterken
De markt voor HBM wordt gecontroleerd door drie grote fabrikanten: SK hynix, Samsung en Micron, alle niet-japans. Voor een land dat in de jaren tachtig wereldleider was in DRAM, biedt ZAM ook een kans om terug te keren naar deze markt met een eigen technologie, ondersteund door overheidsgeld en door een investeerder als SoftBank, dat zwaar investeert in AI-infrastructuur.
De keten wordt gevormd door verschillende partners: Intel voor de stapel- en verbindingstechnologie, waferproducenten zoals PSMC en nu Shinko voor de encapsulatie. Het blijft de vraag wie grote hoeveelheden zal gaan produceren en vooral welke fabrikanten van accelerators bereid zijn om deze nieuwe geheugenoplossing te integreren. Tot die tijd blijft ZAM een veelbelovende ontwikkelingsrichting, terwijl HBM al genoeg gestandaardiseerd, met leveranciers en klanten aanwezig is.
Veelgestelde vragen
Wat is ZAM-geheugen?
Z-Angle Memory is een 3D-gestapeld DRAM-geheugen ontwikkeld door SAIMEMORY, een dochteronderneming van SoftBank, voor hoge dichtheid, hoge bandbreedte en laag energieverbruik in AI-datacenters.
Wat doet Shinko Electric in het project?
Shinko levert haar expertise in substraten en hoge-dichtheid verpakkingen om de encasement- en fabricageprocessen van ZAM te ontwikkelen.
Wanneer komt ZAM op de markt?
SoftBank voorziet prototypes in het fiscale jaar dat eindigt in maart 2028 en een mogelijke marktintroductie in het fiscale jaar 2029. Het memorandum met Shinko wijzigt deze planning niet.
Hoe onderscheidt ZAM zich van HBM?
Beide technologieën stapelen lagen DRAM, maar ZAM gebruikt een andere verticale verbindingarchitectuur om meer bandbreedte per oppervlakte te behalen met minder energieverbruik. HBM is al een industrieel genormeerde standaard; ZAM bevindt zich nog in ontwikkeling.
Bronnen: